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IGBT模块

点击次数:   更新时间:16/05/18 16:26:05     来源:www.wfdianlu.com关闭分    享:

  众所周知,IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件,具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点,被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差,一旦出现意外就会使它损坏。为此,必须对IGBT进行相关保护。一般我们从过流、过压、过热三方面进行IGBT保护电路设计。
  IGBT承受过电流的时间仅为几微秒,耐过流量小,因此使用IGBT首要注意的是过流保护。那么该如何根据IGBT的驱动要求设计过流保护呢?
  IGBT的过流保护可分为两种情况:(1)驱动电路中无保护功能;(2)驱动电路中设有保护功能。对于第一种情况,我们可以在主电路中要设置过流检测器件;针对第二种情况,由于不同型号的混合驱动模块,其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同,使用时要根据实际情况恰当选用。对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过封锁驱动信号或者减小栅压来进行保护。
  过压保护则可以从以下几个方面进行:
  ●尽可能减少电路中的杂散电感。
  ●采用吸收回路。吸收回路的作用是;当IGBT关断时,吸收电感中释放的能量,以降低关断过电压。
  ●适当增大栅极电阻Rg。
  IGBT的过热保护一般是采用散热器(包括普通散热器与热管散热器),并可进行强迫风冷。

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